Samsung Elektronica is van plan 1 TB DDR5-geheugen in één enkele module vrij te geven dankzij een doorbraak in de DRAM-productie.
Zuid-Koreaans bedrijf ontwikkeld het eerste 32-gigabit (GB) DDR5 RAM-geheugen in de geheugenindustrie met de hoogste capaciteit, met behulp van een 12 nm-proces. Dankzij dit Samsung zal 5TB DDR1-geheugenmodules kunnen produceren, maar er zit nog een ander voordeel aan de overstap naar 32GB DRAM. Vergeleken met de bestaande 5GB DDR16 DRAM-modules die zijn vervaardigd met behulp van het 12nm-proces, zal het stroomverbruik van de 128GB-modules met 10% worden verminderd.
Volgens Sang-Joon Hwan, vice-president van DRAM-producten en -technologie bij Samsung Elektronica, in eerste instantie zullen de belangrijkste consumenten van dit geheugen datacentra, kunstmatige intelligentie en big data zijn: “Dankzij onze 32 gigabyte DRAM-geheugen van de 12 nm-klasse hebben we een oplossing verkregen die de creatie van DRAM-modules met een volume van maximaal 1 TB, waardoor we ideaal gepositioneerd zijn om te voldoen aan de groeiende behoefte aan RAM met hoge capaciteit in het tijdperk van AI (kunstmatige intelligentie) en big data … We zullen DRAM-oplossingen blijven ontwikkelen met behulp van gedifferentieerde productieprocessen en ontwerptechnologieën om de grenzen van de geheugentechnologie te verleggen.”
Meer geheugen in minder ruimte met minder energieverbruik zal altijd populair blijven bij datacenterexploitanten. Deze geheugentechnologie zou echter uiteindelijk moeten migreren naar de DDR5-modules die worden gebruikt in onze desktop-pc's en laptops. Momenteel lijken 192 GB geheugenkits bestaande uit vier modules het hoogste niveau voor consumenten.
Lees ook: