Onlangs de vice-president van de divisie Samsung van contractchipproductie Jeon Gi-tae in een interview met The Elec-publicatie gemeld, dat in het toekomstige technologische proces SF1.4 (klasse 1,4 nm) het aantal kanalen in transistors zal worden verhoogd van drie naar vier, wat tastbare voordelen zal opleveren in termen van prestaties en energieverbruik. Dit zal drie jaar na de release van Intel's vergelijkbare transistors gebeuren, wat kracht zal opleveren Samsung de concurrent inhalen.
Bedrijf Samsung was de eerste die transistors produceerde met een poort die de kanalen in de transistors volledig omringt (SF3E). Dit gebeurde ruim een jaar geleden en wordt vrij selectief gebruikt. Dit soort 3 nm-proces wordt bijvoorbeeld gebruikt om chips te produceren voor cryptocurrency-mijnwerkers. Kanalen in transistors in het nieuwe technologische proces zijn dunne nanoplaten die boven elkaar zijn geplaatst. Bij transistoren Samsung drie van dergelijke kanalen, die aan alle vier de zijden zijn omgeven door een poort en daarom stroomt de stroom er onder nauwkeurige controle doorheen met minimale lekkage.
Intel daarentegen zal in 2024 beginnen met de productie van zijn eerste transistors met nanosheet-kanalen met behulp van het 2 nm RibbonFET Gate-All-Around (GAA) technologieproces. Vanaf het begin zullen ze elk vier nanosheet-kanalen hebben. Dit betekent dat Intel's GateGAA-transistoren efficiënter zullen zijn dan vergelijkbare transistors Samsung, zullen een hogere stroom kunnen doorlaten en energiezuiniger zijn dan de transistors van de Zuid-Koreaanse concurrent. Het zal ongeveer drie jaar duren voordat Samsung zal niet beginnen met het produceren van chips volgens het technische proces SF1.4, dat in 2027 wordt verwacht. Zoals nu bekend is geworden, zullen ze ook "vierbladig" worden - ze zullen elk vier kanalen ontvangen in plaats van de drie van vandaag.
Of het een andere zaak zal zijn Samsung eigenlijk achter Intel lopen op het gebied van maakbaarheid? Tegen die tijd zal het Zuid-Koreaanse bedrijf vijf jaar ervaring hebben met de massaproductie van GAA-transistors, terwijl Intel een nieuwkomer zal blijven. En met de productie van dergelijke transistors is alles nauwelijks eenvoudig, omdat Samsung maakt zeer, zeer selectief gebruik van dit technische proces. Hoe dan ook zal de transitie naar een nieuwe architectuur van transistors een belangrijke doorbraak betekenen voor de halfgeleiderindustrie en het mogelijk maken om de barrière te doorbreken waarboven de traditionele halfgeleiderproductie de komende jaren niet langer voorop zal lopen in de vooruitgang. .
Lees ook:
- Opnieuw bekijken Samsung Galaxy Fold5: bijgewerkt, vlaggenschip, opvouwbaar
- Overzicht van Intel Core 14e generatie processors: wat is interessant en wie is nuttig?