Bedrijf micron Technology kondigde de start aan van leveringen van 's werelds eerste 176-laags flashgeheugen 3D NAND. Volgens de fabrikant maakte het gebruik van geavanceerde architectuur het mogelijk om een "radicale doorbraak" te maken, waardoor niet alleen de opslagdichtheid, maar ook de prestaties aanzienlijk werden verhoogd. Het nieuwe geheugen zal toepassingen vinden in de opslag voor datacenters, slimme randapparatuur en mobiele apparaten.
De nieuwigheid is de vijfde generatie van 3D NAND en in de tweede generatie van de RG-architectuur (replacement-gate), de technologisch meest geavanceerde van de ontwikkelingen die op de markt beschikbaar zijn. Vergeleken met de vorige generatie 3D NAND geproduceerd door Micron, zijn lees- en schrijfvertragingen met meer dan 35% verminderd. Een ander voordeel is het compacte ontwerp - de 176-laags geheugenchip is ongeveer 30% kleiner dan de beste aanbiedingen van concurrenten, waardoor het nieuwe geheugen ideaal is voor toepassingen waarbij een kleine vormfactor belangrijk is.
Micron's vijfde generatie 3D NAND beschikt ook over een toonaangevende gegevensoverdrachtsnelheid van 1600 miljoen overdrachten per seconde (MT/s) via de Open NAND Flash Interface (ONFI)-bus, wat 33% sneller is dan de 1200 MT/s die door 96-laags en 128-laags 3D NAND Micron-geheugens van vorige generaties.
Micron werkt samen met vertegenwoordigers van de industrie om de acceptatie van het nieuwe geheugen te versnellen. Micron's 176-laags drie-niveau 3D NAND-geheugen is in serieproductie in de fabriek van Micron in Singapore en is nu beschikbaar voor klanten, onder meer via Crucial's lijn van solid-state drives voor consumenten. Het bedrijf zal gedurende het kalenderjaar 2021 aanvullende nieuwe producten introduceren op basis van deze technologie.
Lees ook:
- Sony kondigt een nieuw Airpeak-droneproject aan
- De verkoop van een mobiele steadicam - FeiyuTech AK2000С is begonnen in Oekraïne