Japanse fabrikant van microschakelingen Kioxia ontwikkeld flash-geheugen NAND met ongeveer 170 lagen, samen met zijn Amerikaanse tegenhanger Micron Technology en SK Hynix uit Zuid-Korea bij de ontwikkeling van geavanceerde technologieën.
Het nieuwe NAND-geheugen is samen met een Amerikaanse partner ontwikkeld Western Digital en kan data twee keer zo snel vastleggen als het huidige topproduct van Kioxia, dat uit 112 lagen bestaat.
Kioxia, voorheen bekend als Toshiba Memory, is van plan om zijn nieuwe NAND te onthullen op de International Solid State Conference, het jaarlijkse wereldwijde forum van de halfgeleiderindustrie, en is van plan om al volgend jaar met massaproductie te beginnen.
Het hoopt te voldoen aan de vraag in verband met datacenters en smartphones, aangezien de verspreiding van draadloze technologieën van de vijfde generatie leidt tot grotere volumes en snelheden van gegevensoverdracht. Maar de concurrentie op dit gebied neemt al toe: Micron en SK Hynix kondigen hun nieuwe producten aan.
Kioxia is er ook in geslaagd om meer geheugencellen per laag te plaatsen met zijn nieuwe NAND, wat betekent dat het chips 30% kleiner kan maken dan andere met dezelfde hoeveelheid geheugen. Kleinere microschakelingen zorgen voor meer flexibiliteit bij het maken van smartphones, servers en andere producten.
Om de productie van flashgeheugen te verhogen, zijn Kioxia en Western Digital van plan om dit voorjaar te beginnen met de bouw van een fabriek van $ 9,45 miljard in Yokkaido, Japan. Het streven is om de eerste lijnen al in 2022 in gebruik te nemen.
Lees ook: