, нової технології пам'яті.){kind=link}
Bedrijf Samsung gebruikte geavanceerde computermodellering om de ontwikkeling van Selector-Only Memory (SOM) te versnellen, een nieuwe geheugentechnologie die niet-vluchtigheid combineert met DRAM-achtige lees-/schrijfsnelheden en stapelbaarheid.
Volg ons kanaal voor het laatste nieuws Google News online of via de app.
Voortbouwend op eerder onderzoek van het bedrijf op dit gebied, is de SOM gebaseerd op een kruispuntgeheugenarchitectuur vergelijkbaar met fasegeheugen en resistief willekeurig toegankelijk geheugen (RRAM), dat gebruik maakt van gestapelde elektrode-arrays. Meestal vereisen deze architecturen een selectortransistor of -diode om specifieke geheugencellen te adresseren en onvoorspelbare elektrische paden te voorkomen.
Samsung koos voor een nieuwe aanpak door onderzoek te doen naar op chalcogeniden gebaseerde materialen die functioneren als een selector en geheugenelement, waardoor een nieuwe vorm van niet-vluchtig geheugen werd geïntroduceerd.
Editie van eeNews Analoog informeert, die onderzoekers Samsung zullen hun bevindingen presenteren op de International Electronic Device Meeting (IEDM) van dit jaar, die van 7 tot en met 11 december in San Francisco wordt gehouden. De Zuid-Koreaanse technologiegigant zal vertellen hoe het een breed scala aan chalcogenidematerialen voor SOM-toepassingen heeft getest.
Samsung stelt dat tijdens het onderzoek ruim 4 combinaties van materialen zijn bestudeerd, waaruit door middel van Ab-initio computermodellering 18 veelbelovende kandidaten zijn geselecteerd (zie diagram hierboven). De focus lag op het verbeteren van de drempelspanningsdrift en het optimaliseren van het geheugenvenster, twee sleutelfactoren in de SOM-prestaties.
Traditioneel SOM-onderzoek is beperkt gebleven tot het gebruik van Ge-, As- en Se-chalcogenidesystemen in drempelschakelaars (OTS). Echter Samsung stelt dat hun uitgebreide modelleringsproces een bredere zoektocht mogelijk maakte, waarbij rekening werd gehouden met de interconnectiekarakteristieken, thermische stabiliteit en apparaatbetrouwbaarheid, om de prestaties en efficiëntie te verbeteren.
In de volgende IEDM-presentatie, eeNews Analog Reports, zullen IMEC-onderzoekers potentiële atomaire mechanismen bespreken, zoals lokale herschikking van atomaire bindingen en atomaire segregatie, wat zou kunnen verklaren hoe de selectorcomponent in de SOM werkt, waardoor de drempelspanning verder wordt beïnvloed, een belangrijke factor in geheugenprestaties
Als u geïnteresseerd bent in artikelen en nieuws over lucht- en ruimtetechnologie, nodigen wij u uit voor ons nieuwe project AERONAUT.media.
Lees ook: